ГОСТ 20859.1-89

Вернуться к списку

ГОСТ 20859.1-89

Сохранить

Обозначение

ГОСТ 20859.1-89

Заглавие на русском языке

Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования

Заглавие на английском языке

Power semiconductor devices. General technical requirements

Дата введения в действие

01.01.1990

ОКС

31.080;29.200

Код ОКП

341700

Код КГС

Е65

Код ОКСТУ

3417

Аннотация (область применения)

Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений

Ключевые слова

преобразователи электроэнергии; применение в полупроводниковых преобразователях электроэнергии

Термины и определения

Раздел стандарта

Вид стандарта

3 - Стандарты на продукцию (услуги)

Обозначение заменяющего в части

ГОСТ 30617-98 в части модулей

Содержит требования: СЭВ

СТ СЭВ 1135-88

Нормативные ссылки на: IEC

IEC 60747-1(1983);IEC 60747-2(1983);IEC 60747-6(1983);IEC 60147-IJ(1981)